[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201811453062.2 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN111261609A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/522;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 李华;崔香丹 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
衬底，一表面上具有结合垫；
导电体，凸出于所述结合垫且与所述结合垫连接；及
所述导电体顶面设有焊料层以及环绕所述焊料层的第一阻挡层，所述焊料层凸出于所述第一阻挡层。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述焊料层的凸出高度大于等于所述第一阻挡层高度的10％。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述导电体和所述结合垫通过凸块下金属化层连接。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述凸块下金属化层呈U型包覆所述导电体并露出所述导电体的顶面。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述凸块下金属化层与所述第一阻挡层接触连接。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述导电体和所述焊料层之间还包括第二阻挡层，所述第二阻挡层覆盖所述导电体顶面并与所述第一阻挡层接触连接。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述导电体包括铜、钨、金中的一种或多种。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一阻挡层包括Ni。
9.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述第二阻挡层包括Ti、Ta、TiW、Al、Cr、NiCr中的一种或多种。
10.一种形成半导体器件的方法，其特征在于，包括：
形成导电体于半导体器件的表面上的结合垫上且与所述结合垫连接；以及
形成与所述导电体顶面连接的焊料层和环绕所述焊料层的第一阻挡层，所述焊料层凸出于所述第一阻挡层。
11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述焊料层的凸出高度大于等于所述第一阻挡层高度的10％。
12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，还包括：
将所述导电体与所述结合垫连接之前，在所述结合垫上形成U形凸块下金属化层；及
在所述U形凸块下金属化层中形成所述导电体，并露出所述导电体顶面。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，还包括：
在所述导电体顶面形成第二阻挡层；
在所述第二阻挡层上形成所述第一阻挡层；及
在所述第一阻挡层中形成所述焊料层。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述凸块下金属化层与所述第一阻挡层接触连接。
15.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第二阻挡层包括Ti、Ta。
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