[发明专利]半导体电容器及其制备方法在审
| 申请号： | 201811451448.X | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN111261615A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 吴秉桓 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 于宝庆;崔香丹 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体电容器及其制备方法。制备方法包括：a.提供衬底，衬底表面形成有介质层，介质层内形成有电容孔；b.在电容孔内形成至少一个晶须凝核；c.基于晶须凝核，形成晶须；d.在电容孔内和晶须表面形成第一下电极；e.在下电极表面形成第一介电层；f.在介电层表面形成第一上电极。以这样的制备方法制备的半导体电容器包括下电极、第一介电层、第一上电极以及至少一个晶须结构。其中晶须结构可以由晶须凝核形成也可以是去除晶须结构之后形成的一包括第二上电极和第二介电层的结构。这样的半导体电容器表面由大量晶须包覆，因此各部分结构的表面积得到增加，从而使电容量得到增加。且能够降低自刷新数据刷新作动频率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 电容器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811451448.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种图像处理方法及装置
- 下一篇：一种高效除结焦的方法
