[发明专利]半导体电容器及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体电容器，其特征在于，包括：

下电极；

第一介电层，形成于所述下电极表面；

第一上电极，形成于所述第一介电层表面；

至少一个晶须结构，被所述下电极包覆。

2.如权利要求1所述的半导体电容器，其特征在于，所述晶须结构为单晶硅、多晶硅、非晶硅、氧化硅、氮化硅、碳氮化硅、氮化镓、砷化镓、氮化钛和二氧化钛中的一种或多种。

3.如权利要求1所述的半导体电容器，其特征在于，所述晶须结构包括：

第二上电极；

包覆所述第二上电极的第二介电层；

其中，所述第一上电极和所述第二上电极材料相同，所述第一介电层和所述第二介电层材料相同。

4.如权利要求2或3所述的半导体电容器，其特征在于，所述第一介电层在至少一个非晶须结构位置的剖面上形成封闭图形。

5.如权利要求2或3所述的半导体电容器，其特征在于，所述晶须结构的形状为直线形、弧线形、折线形和分叉形中的一种或多种。

6.如权利要求2或3所述的半导体电容器，其特征在于，所述晶须结构的直径为0.5-50nm。

7.一种半导体电容器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤a.提供衬底，所述衬底表面形成有介质层，所述介质层内形成有电容孔；

步骤b.在所述电容孔内形成至少一个晶须凝核；

步骤c.基于所述晶须凝核，形成晶须结构；

步骤d.在所述电容孔内和所述晶须结构表面形成下电极；

步骤e.在所述下电极表面形成第一介电层；

步骤f.在所述介电层表面形成第一上电极。

8.如权利要求7所述的半导体电容器的制备方法，其特征在于，在所述步骤e前还包括：

去除至少部分所述介质层。

9.如权利要求8所述的半导体电容器的制备方法，其特征在于，在所述步骤e前还包括：

去除部分所述晶须结构。

10.如权利要求7所述的半导体电容器的制备方法，其特征在于，所述步骤b为利用气相沉积的方式在电容孔的内壁上形成晶须凝核。

11.如权利要求7所述的半导体电容器的制备方法，其特征在于，所述步骤a为利用湿法方式将晶须凝核以颗粒形式引入电容孔，附着于内壁上。

12.如权利要求7所述的半导体电容器的制备方法，其特征在于，所述步骤b为使用化学气相沉积的方法基于所述晶须凝核形成所述晶须结构。

13.如权利要求7所述的半导体电容器的制备方法，其特征在于，所述晶须结构沿直线或弧线或折线或分叉形状生长。

14.如权利要求7所述的半导体电容器的制备方法，其特征在于，所述晶须结构由单晶硅、多晶硅、非晶硅、氧化硅、氮化硅、碳氮化硅、氮化镓、砷化镓、氮化钛和二氧化钛中的一种或多种形成。