[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201811450312.7 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN109872996A | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 金知勇;李呈焕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 潘军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：包括凹槽的衬底，所述凹槽位于隔离区域下方并且具有包括多个阶梯部分的侧部；多个栅极电极，在所述衬底上彼此间隔开，并且在垂直于衬底的上表面的方向上堆叠；沟道结构，在第一组多个栅极电极之间穿过；以及隔离区域，在第二组多个栅极电极之间穿过，所述隔离区域从衬底的上表面延伸并具有倾斜的侧向表面。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 隔离区域 栅极电极 半导体器件 上表面 穿过 侧向表面 沟道结构 堆叠 垂直 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底，包括在隔离区域下方的凹槽，所述衬底限定所述凹槽的侧部以包括多个阶梯部分；多个栅极电极，在所述衬底上彼此间隔开，并且在垂直于所述衬底的上表面的方向上堆叠；沟道结构，穿过所述多个栅极电极；以及所述隔离区域，穿过所述多个栅极电极，所述隔离区域从所述衬底的上表面延伸并具有倾斜的侧向表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
