[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，包括在隔离区域下方的凹槽，所述衬底限定所述凹槽的侧部以包括多个阶梯部分；

多个栅极电极，在所述衬底上彼此间隔开，并且在垂直于所述衬底的上表面的方向上堆叠；

沟道结构，穿过所述多个栅极电极；以及

所述隔离区域，穿过所述多个栅极电极，所述隔离区域从所述衬底的上表面延伸并具有倾斜的侧向表面。

2.根据权利要求1的所述半导体器件，其中，

所述凹槽的上部的宽度与所述隔离区域的下部的宽度相同，并且

所述凹槽的上部的宽度大于所述凹槽的下部的宽度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

公共源极线，在所述隔离区域内，并在所述凹槽的最下部连接到所述衬底。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述公共源极线包括：

下部区域，在所述凹槽的最下部接触所述衬底，以及

上部区域，在所述公共源极线的所述下部区域上，所述公共源极线的上部区域的宽度大于所述公共源极线的下部区域的宽度。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括：

隔墙，在所述公共源极线和所述多个栅极电极之间，所述隔墙接触所述多个栅极电极。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述隔墙的下部在所述凹槽的侧部处接触所述衬底。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述隔墙的下部包括根据所述凹槽的形状形成的弯曲部。

8.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述隔墙在接触所述多个栅极电极中的最下面的栅极电极的侧向表面的第一位置中具有第一厚度，在接触所述多个栅极电极中的最上面的栅极电极的侧向表面的第二位置中具有第二厚度，所述第二厚度与所述第一厚度不同。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

杂质区域，在所述凹槽下方并具有n型杂质。

10.一种半导体器件，包括：

衬底，包括凹槽，所述衬底限定所述凹槽以包括具有不同宽度的第一区域、第二区域和第三区域；

堆叠结构，包括在所述衬底上交替堆叠的多个栅极电极和多个模制绝缘层；以及

公共源极线，穿过所述堆叠结构以在所述凹槽的第一区域处接触所述衬底，所述公共源极线沿一个方向在所述衬底上延伸。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述第二区域在所述第一区域上方，所述第三区域在所述第二区域上方，所述第一区域的第一宽度比所述第二区域的第二宽度窄，以及所述第二区域的第二宽度比所述第三区域的第三宽度窄。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第三区域的侧向表面与所述多个模制绝缘层中的最下面的模制绝缘层的侧向表面共面，所述最下面的模制绝缘层接触所述衬底的上表面。

13.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述公共源极线包括具有不同宽度的多个区域。

14.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述多个栅极电极中的最下面的栅极电极的侧向表面和所述公共源极线之间的第一间隔与所述多个栅极电极中的最上面的栅极电极的侧向表面和所述公共源极线之间的第二间隔不同。

15.根据权利要求11所述的半导体器件，还包括：

隔墙，在所述堆叠结构和所述公共源极线之间，所述隔墙在所述凹槽的第二区域和第三区域处接触所述衬底。