[发明专利]一种适于集成电路金属外壳氮-氢混合等离子清洗方法

摘要

一种适于集成电路金属外壳氮‑氢混合等离子清洗方法，具体方法包括以下步骤：⑴将待清洗的集成电路金属外壳平放在等离子清洗机清洗腔内，关好清洗腔仓门；⑵通入一定配比的氮‑氢混合气；⑶设置射频电源功率、腔体真空度、清洗时间的参数；⑷启动清洗程序进行等离子清洗，结束后取出集成电路金属外壳，关好清洗腔仓门。本方法优点是：①清洗过程不使用化工试剂，对操作人员和环境影响小；②清洗过程在真空环境下进行，工艺气体消耗少，成本低；③通过配置夹具可规模化清洗；④对分子尺寸级污渍去除效果优于氩氢混合气进行等离子清洗的方法。适用于金属封装的单片集成电路、混合集成电路以及多芯片模块组装前的表面清洗。

主权项

1.一种适于集成电路金属外壳氮‑氢混合等离子清洗方法，系用在等离子清洗机中，惰性气体经射频电源激励形成等离子体，对金属外壳表面的清洗，其特征在于本方法是使用氮‑氢混合气体作介质，在等离子清洗机低压腔室中，经射频电源激励，形成激活的氢原子、氮原子、自由电子和未反应气体的等离子体，当这些等离子体轰击到金属外壳表面时，除撞击这一物理过程外，同时伴随离子化氢气以及电离的氢原子与金属外壳的氧化层发生化学还原反应，从而达到金属外壳表面包含氧化物的分子级污渍的去除作用；具体的方法包括以下步骤：第一步 将待清洗的集成电路金属外壳平放在等离子清洗机清洗腔内，关好清洗腔仓门；第二步 通入一定配比的氮‑氢混合气；第三步 预先设置射频电源功率、腔体真空度、清洗时间的参数；第四步 启动清洗程序进行等离子清洗，结束后取出集成电路金属外壳，关好清洗腔仓门。