[发明专利]一种适于集成电路金属外壳氮-氢混合等离子清洗方法在审
申请号: | 201811447044.3 | 申请日: | 2018-11-29 |
公开(公告)号: | CN109686650A | 公开(公告)日: | 2019-04-26 |
发明(设计)人: | 尹国平 | 申请(专利权)人: | 贵州振华风光半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;B08B7/00 |
代理公司: | 贵阳中工知识产权代理事务所 52106 | 代理人: | 刘安宁 |
地址: | 550000 贵*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路金属 等离子清洗 清洗腔 清洗 清洗过程 仓门 单片集成电路 等离子清洗机 混合集成电路 射频电源功率 夹具 多芯片模块 腔体真空度 氩氢混合气 表面清洗 工艺气体 化工试剂 环境影响 金属封装 清洗程序 污渍去除 真空环境 规模化 混合气 配比 取出 组装 消耗 配置 | ||
1.一种适于集成电路金属外壳氮-氢混合等离子清洗方法,系用在等离子清洗机中,惰性气体经射频电源激励形成等离子体,对金属外壳表面的清洗,其特征在于本方法是使用氮-氢混合气体作介质,在等离子清洗机低压腔室中,经射频电源激励,形成激活的氢原子、氮原子、自由电子和未反应气体的等离子体,当这些等离子体轰击到金属外壳表面时,除撞击这一物理过程外,同时伴随离子化氢气以及电离的氢原子与金属外壳的氧化层发生化学还原反应,从而达到金属外壳表面包含氧化物的分子级污渍的去除作用;具体的方法包括以下步骤:
第一步 将待清洗的集成电路金属外壳平放在等离子清洗机清洗腔内,关好清洗腔仓门;
第二步 通入一定配比的氮-氢混合气;
第三步 预先设置射频电源功率、腔体真空度、清洗时间的参数;
第四步 启动清洗程序进行等离子清洗,结束后取出集成电路金属外壳,关好清洗腔仓门。
2.如权利要求1所述的清洗方法,其特征在于第一步中,所述等离子清洗机的型号是PINK V15-G;该清洗机的清洗腔内安设有网状隔板,集成电路金属外壳放置在隔板之上,将管脚插入隔板的网中。
3.如权利要求1所述的清洗方法,其特征在于第二步中,所述氮-氢混合气的体积比例是7%∶93%。
4.如权利要求1所述的清洗方法,其特征在于第三步中,所述设置的射频电源功率为250W,腔体真空度为160mTorr, 清洗时间为80s;设置的参数通过电脑芯片控制。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造