[发明专利]半导体加工设备和半导体加工方法有效
| 申请号： | 201811434638.0 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN111243978B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 纪红;史小平;兰云峰;秦海丰;赵雷超;张文强 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体加工设备和半导体加工方法，属于半导体加工技术领域，其可至少部分解决现有的半导体加工设备中工艺腔室出气口附近区域易产生颗粒沉积的问题。本发明的半导体加工设备中工艺腔室包括进气口，反应气体产生装置包括出气口，反应气体存储装置包括进气口和出气口；反应气体产生装置用于产生第一反应气体，反应气体存储装置用于存储第一反应气体；第一携带气体管路与工艺腔室的进气口连通，反应气体产生装置的出气口通过第一阀门与反应气体存储装置的进气口可通断地连通，反应气体存储装置的出气口通过第二阀门与第一携带气体管路靠近工艺腔室的一端可通断地连通。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 加工 设备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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