[发明专利]半导体加工设备和半导体加工方法

说明书

本发明提供一种半导体加工设备和半导体加工方法，属于半导体加工技术领域，其可至少部分解决现有的半导体加工设备中工艺腔室出气口附近区域易产生颗粒沉积的问题。本发明的半导体加工设备中工艺腔室包括进气口，反应气体产生装置包括出气口，反应气体存储装置包括进气口和出气口；反应气体产生装置用于产生第一反应气体，反应气体存储装置用于存储第一反应气体；第一携带气体管路与工艺腔室的进气口连通，反应气体产生装置的出气口通过第一阀门与反应气体存储装置的进气口可通断地连通，反应气体存储装置的出气口通过第二阀门与第一携带气体管路靠近工艺腔室的一端可通断地连通。

技术领域

本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种半导体加工设备和半导体加工方法。

背景技术

现有的半导体加工设备中，在进行薄膜沉积时，常需要臭氧气体作为反应气体。由于臭氧从开始产生到品质达到工艺要求需要一定时间，故臭氧通常是不断产生的。当工艺腔室内需要臭氧时，臭氧的产生装置将臭氧通入工艺腔室，当工艺腔室内不需要臭氧时，臭氧的产生装置将臭氧改为将臭氧通向工艺腔室的出气口所连的管路。工艺腔室的出气口所连的管路通常都会再连接抽气装置，从而可以利用这个抽气装置将不需要进入工艺腔室的臭氧抽走。

当臭氧从通入工艺腔室的进气口切换为通向工艺腔室的出气口所连的管路时，会在工艺腔室的出气口附近造成臭氧的倒灌，从而容易在工艺腔室的出气口附近发生化学反应，造成颗粒物沉积。

发明内容

本发明至少部分解决现有的半导体加工设备中工艺腔室出气口附近区域易产生颗粒沉积的问题，提供一种半导体加工设备和半导体加工方法。

本发明提供一种半导体加工设备，包括工艺腔室、反应气体产生装置、反应气体存储装置、第一携带气体管路，所述工艺腔室包括进气口，所述反应气体产生装置包括出气口，所述反应气体存储装置包括进气口和出气口；所述反应气体产生装置用于产生第一反应气体，所述反应气体存储装置用于存储第一反应气体；所述第一携带气体管路与所述工艺腔室的进气口连通，所述反应气体产生装置的出气口通过第一阀门与所述反应气体存储装置的进气口可通断地连通，所述反应气体存储装置的出气口通过第二阀门与所述第一携带气体管路靠近所述工艺腔室的一端可通断地连通。

可选地，所述半导体加工设备还包括第三阀门；所述第三阀门的进气端与所述第一阀门的进气端共同连通于所述反应气体产生装置的出气口；所述第三阀门的出气端与所述第二阀门的出气端相连通。

可选地，所述工艺腔室上还连通有第一出气管路，所述第一出气管路上还设置有第四阀门，所述半导体加工设备还包括抽气装置，所述抽气装置与所述第一出气管路的末端连通。

可选地，所述第三阀门的出气端通过第五阀门与所述第四阀门和所述抽气装置之间的所述第一出气管路相连通。

可选地，所述反应气体存储装置还包括压力检测部件，所述压力检测部件用于检测所述反应气体存储装置内第一反应气体的压强。

可选地，所述反应气体存储装置还包括温控部件，所述温控部件用于控制所述反应气体存储装置内第一反应气体的温度。

可选地，所述反应气体产生装置用于产生臭氧气体，所述反应气体存储装置用于存储臭氧气体。

可选地，所述半导体加工设备还包括源瓶和第二携带气体管路，所述第二携带气体管路与所述工艺腔室连通，所述源瓶包括进气口和出气口，所述源瓶的进气口和所述第二携带气体管路均用于通入第二携带气体，所述源瓶的出气口与所述第二携带气体管路靠近所述工艺腔室的一端可通断地连通。

可选地，所述半导体加工设备为原子层沉积设备。