[发明专利]一种石墨烯晶体管铜离子传感器及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201811430001.4 | 申请日： | 2018-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN111220669B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 李金华;范钦;李珊珊 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | G01N27/327 | 分类号： | G01N27/327;G01N27/48 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 430063 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明提供了一种石墨烯晶体管铜离子传感器，包括衬底和设置于所述衬底上的栅极、源极和漏极；所述源极和漏极之间设置有石墨烯沟道；所述栅极表面固定有碳点。本发明将碳点固定在石墨烯晶体管栅电极表面，碳点能够吸附溶液中的铜离子，从而改变晶体管与样本溶液之间的双电层界面特性，使石墨烯沟道中的电流发生变化，通过检测沟道中的电流变化，可以检测溶液中的微量铜离子；本发明提供的石墨烯晶体管离子传感器的操作电压低于1V，铜离子的最低检测限能够达到10 |
||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 晶体管 离子 传感器 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖北大学，未经湖北大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811430001.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种石墨烯晶体管无标记葡萄糖传感器及其制备方法
- 下一篇：一种双层散热电路板
