[发明专利]一种石墨烯晶体管铜离子传感器及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201811430001.4 申请日: 2018-11-26
公开(公告)号: CN111220669B 公开(公告)日: 2023-03-14
发明(设计)人: 李金华;范钦;李珊珊 申请(专利权)人: 湖北大学
主分类号: G01N27/327 分类号: G01N27/327;G01N27/48
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 430063 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 石墨 晶体管 离子 传感器 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种用于铜离子检测的石墨烯晶体管传感器,其特征在于,所述传感器包括衬底和设置于所述衬底上的栅极、源极和漏极;源极和漏极之间设置有石墨烯沟道;栅极的表面固定有碳点;碳点能够吸附溶液中的铜离子,改变晶体管与样本溶液之间的双电层界面特性,使石墨烯沟道中的电流发生变化,通过检测沟道中电流变化,从而检测溶液中的微量铜离子;

其中,石墨烯沟道的宽度为0.2~0.3mm,石墨烯沟道的长度为4~8mm;石墨烯沟道为单层石墨烯;栅极、源极和漏极独立地包括铬层和金层,铬层位于衬底和金层之间;铬层的厚度为6~12nm,金层的厚度为40~90nm;栅极表面碳点的固定量为10~30μg/mm2

所述碳点由海藻酸钠、乙二胺、去离子水制备,其中海藻酸钠和胺类物质的质量比为1∶20~80;海藻酸钠的质量和水的体积比为0.25g∶20~50ml。

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