[发明专利]具有隔离结构的芯片有效
| 申请号： | 201811424350.5 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN109686734B | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 王钊 | 申请（专利权）人： | 合肥中感微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/764 |
| 代理公司： | 苏州简理知识产权代理有限公司 32371 | 代理人： | 杨晓东 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市新站区*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种具有隔离结构的芯片，其包括晶片所述晶片包括：衬底；形成于所述衬底上的第一电路；形成于所述衬底上的与所述第一电路相邻的第二电路；隔离沟槽，其位于第一电路和第二电路之间的衬底部分，其中，第一电路和第二电路之间的衬底部分称为衬底间隙区；金属连接层，其位于所述衬底的第一表面且横跨所述衬底间隙区，所述金属连接层用于电连接第一电路和第二电路。与现有技术相比，本发明中的第一电路和第二电路位于同一衬底上，且通过激光切割位于第一电路和第二电路之间的衬底部分，以形成隔离沟槽，从而增强电路隔离性能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 隔离 结构 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种具有隔离结构的芯片，其包括晶片，其特征在于，所述晶片包括：衬底；形成于所述衬底上的第一电路；形成于所述衬底上的与所述第一电路相邻的第二电路；隔离沟槽，其位于第一电路和第二电路之间的衬底部分，其中，第一电路和第二电路之间的衬底部分称为衬底间隙区；金属连接层，其位于所述衬底的第一表面且横跨所述衬底间隙区，所述金属连接层用于电连接第一电路和第二电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
