[发明专利]具有隔离结构的芯片

说明书

本发明提供一种具有隔离结构的芯片，其包括晶片所述晶片包括：衬底；形成于所述衬底上的第一电路；形成于所述衬底上的与所述第一电路相邻的第二电路；隔离沟槽，其位于第一电路和第二电路之间的衬底部分，其中，第一电路和第二电路之间的衬底部分称为衬底间隙区；金属连接层，其位于所述衬底的第一表面且横跨所述衬底间隙区，所述金属连接层用于电连接第一电路和第二电路。与现有技术相比，本发明中的第一电路和第二电路位于同一衬底上，且通过激光切割位于第一电路和第二电路之间的衬底部分，以形成隔离沟槽，从而增强电路隔离性能。

【技术领域】

本发明涉及芯片设计技术领域，特别涉及一种具有隔离结构的芯片，其可以增强电路隔离性能。

【背景技术】

在芯片设计中，增强电路之间的隔离，可以减少噪声电路对敏感电路的影响。请参考图1所示，其描述了现有技术中把Part_A和Part_B两个电路集成在同一个芯片上的示意图。这样的好处是集成度高，一起加工效率高。但是会存在一个电路对另一个电路干扰的问题，例如Part_A为噪声很大的数字电路(Part_A可被称为噪声电路)，Part_B为对噪声敏感的模拟电路(Part_B可被称为敏感电路)。这样就会产生数字电路对模拟电路的干扰，降低模拟电路的性能，严重时会导致模拟电路功能失效。

因此，有必要提出一种具有隔离结构的芯片，来增强电路隔离性能。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种具有隔离结构的芯片，其可以增强电路隔离性能。

为了解决上述问题，本发明提供一种具有隔离结构的芯片，其包括晶片，所述晶片包括：衬底；形成于所述衬底上的第一电路；形成于所述衬底上的与所述第一电路相邻的第二电路；隔离沟槽，其位于第一电路和第二电路之间的衬底部分，其中，第一电路和第二电路之间的衬底部分称为衬底间隙区；金属连接层，其位于所述衬底的第一表面且横跨所述衬底间隙区，所述金属连接层用于电连接第一电路和第二电路。

进一步的，所述隔离沟槽自衬底的第一表面贯穿至衬底的第二表面，且所述隔离沟槽贯穿一部分所述衬底间隙区；所述金属连接层横跨未被所述隔离沟槽贯穿的另一部分所述衬底间隙区。

进一步的，所述隔离沟槽自衬底的第一表面贯穿至衬底的第二表面，且所述隔离沟槽贯穿整个所述衬底间隙区；所述金属连接层横跨整个所述衬底间隙区。

进一步的，所述晶片还包括密封环，所述密封环位于所述衬底的第一表面，所述密封环沿所述晶片的隔离沟槽的边缘，以及被切割形成晶片时的切割边缘形成环形结构。

进一步的，所述密封环包括：有源区，其自所述衬底的第一表面延伸入所述衬底内；接触孔层，其位于所述第一有源区上方；金属层，其位于所述接触孔层的上方，所述金属层通过所述接触孔层与所述有源区相连。

进一步的，所述衬底的杂质类型与有源区的杂质类型相同。

进一步的，所述密封环包括：阱区，其自所述衬底的第一表面延伸入所述衬底内；有源区，其自所述阱区的第一表面延伸入所述阱区内；接触孔层，其位于所述第一有源区上方；金属层，其位于所述接触孔层的上方，所述金属层通过所述接触孔层与所述有源区相连。

进一步的，所述衬底的杂质类型与阱区的杂质类型相反；所述阱区的杂质类型与有源区的杂质类型相同。

进一步的，所述隔离沟槽是通过激光切割所述衬底间隙区产生的。

进一步的，所述第一电路为数字电路，所述第二电路为模拟电路。

与现有技术相比，本发明中的第一电路(例如噪声电路)和第二电路(例如敏感电路)位于同一衬底上，且通过激光切割位于第一电路和第二电路之间的衬底部分，以形成隔离沟槽，从而增强电路隔离性能。

【附图说明】