[发明专利]封装结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201811423713.3 申请日: 2018-11-27
公开(公告)号: CN109841603A 公开(公告)日: 2019-06-04
发明(设计)人: 张简上煜;徐宏欣;林南君 申请(专利权)人: 力成科技股份有限公司
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065;H01L23/48;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 吴志红;臧建明
地址: 中国台湾新竹县*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种封装结构及其制造方法,封装结构包括重布线路结构、晶粒、多个导电结构、第一绝缘密封体、芯片堆叠体以及第二绝缘密封体。晶粒配置在重布线路结构上且电性连接至重布线路结构。导电结构位于重布线路结构上且电性连接至重布线路结构。这些导电结构环绕晶粒。第一绝缘密封体包覆晶粒及导电结构。第一绝缘密封体包括暴露出多个导电结构的顶表面的多个开口。芯片堆叠体配置在第一绝缘密封体与晶粒上。芯片堆叠体电性连接至多个导电结构。第二绝缘密封体包覆芯片堆叠体。
搜索关键词: 绝缘密封体 导电结构 重布线路结构 晶粒 电性连接 封装结构 芯片堆叠 包覆芯片 晶粒配置 顶表面 堆叠体 包覆 制造 环绕 开口 暴露 配置
【主权项】:
1.一种封装结构,包括:重布线路结构;晶粒,配置在所述重布线路结构上且电性连接至所述重布线路结构;多个导电结构,位于所述重布线路结构上且电性连接至所述重布线路结构,其中所述多个导电结构环绕所述晶粒;第一绝缘密封体,包覆所述晶粒及所述多个导电结构,其中所述第一绝缘密封体包括暴露出所述多个导电结构的顶表面的多个开口;芯片堆叠体,配置在所述第一绝缘密封体与所述晶粒上,其中所述芯片堆叠体电性连接至所述多个导电结构;以及第二绝缘密封体,包覆所述芯片堆叠体。
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