[发明专利]沟槽MOSFET及其制造方法有效
| 申请号： | 201811414618.7 | 申请日： | 2018-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN111223931B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 蒋容;肖胜安 | 申请（专利权）人： | 深圳尚阳通科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽MOSFET，包括：原胞区和外围区，原胞区中形成有沟槽MOSFET的器件单元结构，在外围区中形成有用于降低沟槽MOSFET的输出电容非线性的沟槽MOS电容，沟槽MOS电容包括：第二沟槽栅，由形成于第二沟槽中的第二栅介质层和第二多晶硅栅叠加而成；第二多晶硅栅的侧面覆盖的第一外延层的表面未形成源区，由第一外延层组成的漂移区延伸在整个原胞区和外围区中，在漂移区的背面形成有漏区；第二多晶硅栅的顶部通过接触孔连接到源极；沟槽MOS电容和器件单元结构组成并联结构并在器件反偏时提升整个沟槽MOSFET的输出电容并降低输出电容的非线性。本发明还公开了一种沟槽MOSFET的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 mosfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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