[发明专利]求出偏离量的方法和校准搬送位置数据的方法有效
| 申请号: | 201811407892.1 | 申请日: | 2018-11-23 | 
| 公开(公告)号: | CN109841555B | 公开(公告)日: | 2022-12-02 | 
| 发明(设计)人: | 杉田吉平;河野太辅 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 | 
| 主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/66 | 
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 | 
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 | 
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 | 
| 摘要: | 
                            本发明提供求出偏离量的方法和校准搬送位置数据的方法,能够以高精度求出测定器的偏离量。测定器具有基底基板、多个传感器电极、高频振荡器以及运算部。多个传感器电极以从多个传感器电极到聚焦环的内周面的最短距离的和(A)为固定的值的方式配置。方法包括以下步骤:利用配置在区域内的测定器来计算多个测定值(C | 
                    ||
| 搜索关键词: | 求出 偏离 方法 校准 位置 数据 | ||
【主权项】:
                1.一种求出测定器的偏离量的方法,在该方法中,所述偏离量是配置在被聚焦环包围的区域内的所述测定器的中心位置相对于所述区域的中心位置的偏离量,所述测定器具有:圆盘状的基底基板;设置于所述基底基板的多个传感器电极;高频振荡器,其被设置为向所述多个传感器电极提供高频信号;以及运算部,其构成为根据与所述多个传感器电极的电位相应的多个检测值分别计算表示所述多个传感器电极各自的静电电容的多个测定值,其中,所述多个传感器电极以以下方式设置于所述基底基板的周缘,该方式为:在所述区域内配置有所述测定器的状态下,从所述多个传感器电极到所述聚焦环的内周面的各个最短距离的和A为固定的值,所述和A满足下述的式(1),【式1】
其中,N是所述多个传感器电极的个数,Ci是所述多个测定值,a是常量,所述方法包括以下步骤:利用配置在所述区域内的所述测定器来计算所述多个测定值Ci;使用计算出的所述多个测定值Ci来计算所述式(1)中的所述常量a;使用计算出的所述常量a和所述多个测定值Ci来计算多个距离,所述多个距离分别表示从所述多个传感器电极到所述聚焦环的内周面的距离;以及根据计算出的所述多个距离来计算所述偏离量。
            
                    下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
                
                
            该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811407892.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种硅片百片整形上料设备
 - 下一篇:晶圆承载盘维修方法
 
- 同类专利
 
- 专利分类
 
                    H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
                
            H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





