[发明专利]半导体激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 201811393151.2 | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN111211477B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 郑兆祯;陈长安 | 申请（专利权）人： | 深圳市中光工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/024;H01S5/028 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体激光器及其制备方法，其方法包括：提供一热沉母板，并将热沉母板进行切割形成多个热沉基板，提供一外延片，将多个热沉基板阵列贴合在外延片上，形成多条平行于共振腔方向和垂直于共振腔方向的间隔缝，沿间隔缝对外延片进行分割，获得多个激光器芯片，将多个激光器芯片进行堆叠，并对堆叠的多个激光器芯片进行镀膜以形成多个半导体激光器。通过上述方式，本申请提供的半导体激光器及其制备方法中，利用热沉基板直接就替代了现有技术的支撑条，节省了材料，且减少了在支撑条上进行镀膜后再次分离后与热沉基板的焊接工艺，直接一步形成，简化了工艺且缩减了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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