[发明专利]半导体激光器及其制备方法

说明书

本申请公开了一种半导体激光器及其制备方法，其方法包括：提供一热沉母板，并将热沉母板进行切割形成多个热沉基板，提供一外延片，将多个热沉基板阵列贴合在外延片上，形成多条平行于共振腔方向和垂直于共振腔方向的间隔缝，沿间隔缝对外延片进行分割，获得多个激光器芯片，将多个激光器芯片进行堆叠，并对堆叠的多个激光器芯片进行镀膜以形成多个半导体激光器。通过上述方式，本申请提供的半导体激光器及其制备方法中，利用热沉基板直接就替代了现有技术的支撑条，节省了材料，且减少了在支撑条上进行镀膜后再次分离后与热沉基板的焊接工艺，直接一步形成，简化了工艺且缩减了成本。

技术领域

本申请涉及激光器领域，特别涉及到一种半导体激光器及其制备方法。

背景技术

半导体激光泵浦的全固态激光器是20世纪80年代末期出现的新型激光器。其总体效率至少要比灯泵浦高10倍，由于单位输出的热负荷降低，可获取更高的功率，系统寿命和可靠性大约是闪光灯泵浦系统的100倍，因此，半导体激光器泵浦技术为固体激光器注入了新的生机和活力，使全固态激光器同时具有固体激光器和半导体激光器的双重特点，它的出现和逐渐成熟是固体激光器的一场革命，也是固体激光器的发展方向。并且，它已渗透到各个学科领域，例如：激光信息存储与处理、激光材料加工、激光医学及生物学、激光通讯、激光印刷、激光光谱学、激光化学、激光分离同位素、激光核聚变、激光投影显示、激光检测与计量及军用激光技术等，极大地促进了这些领域的技术进步和前所未有的发展。

市场上侧面泵浦源用的半导体线阵激光器，常常由四个或多个独立的激光器组成，目前，这种激光器的封装工艺首先是对整个激光器芯片进行劈裂和喷涂工艺，将激光器芯片劈裂成一条一条的激光巴条结构后，需要在激光巴条结构沿着腔体的后腔面镀高反射膜、前腔面镀增透膜，现有的制备工艺是通过将激光巴条与支撑件叠层设置，且支撑件的面积相对于激光巴条缩进设置，以解决镀膜工艺的阴影效应。如图1所示，一片激光巴条400叠加一支撑元件100，叠层完成后，在激光巴条400的前腔面和后腔面分别镀增透膜和高反射膜，镀膜完成后，需将激光巴条400与支撑件 100分开，以进行下一步的激光巴条400与热沉基板粘接工序，因此现有激光巴条的镀膜工艺是需要一套独立的工序来完成，增加了生产工序，导致激光器的生产效率无法大幅度提高，因此，急需一种新型的半导体激光器制备方法。

发明内容

本申请提供一种半导体激光器及其制备方法，能够解决现有技术半导体激光器制备中的镀膜工艺较为复杂且成本较高的问题。

本申请采用的一个技术方案是：提供一种激光巴条的制备方法，其方法包括：S11：提供一热沉母板，并将所述热沉母板进行切割形成多个热沉基板；S12：提供一外延片，所述外延片包括平行设置的多个共振腔； S13：将多个所述热沉基板阵列贴合在所述外延片上，形成多条平行于共振腔方向和垂直于共振腔方向的间隔缝；S14：沿所述间隔缝对所述外延片进行分割，获得多个激光器芯片；S15：将多个所述激光器芯片进行堆叠，并对堆叠的所述多个激光器芯片进行镀膜以形成多个半导体激光器，以使得所述半导体激光器包括至少一个激光巴条。

根据本申请一实施方式，所述步骤S14包括：沿垂直于所述共振腔的所述间隔缝对所述外延片进行第一深度与第一宽度的第一劈裂以形成所述多个激光器芯片的解理面。

根据本申请一实施方式，所述步骤S15包括：依次将多个所述激光器芯片进行堆叠，以使得所述多个激光器芯片垂直与所述共振腔的前腔面与后腔面均分别在同一平面上。

根据本申请一实施方式，所述步骤S14还包括：沿平行于所述共振腔的所述间隔缝对所述外延片进行第二深度与第二宽度的第二劈裂。

根据本申请一实施方式，所述步骤S15包括：对堆叠的所述多个激光器芯片的所述解理面镀膜形成共振腔，其中对所述共振腔的前腔面镀增透膜，对对所述共振腔的后腔面镀反射膜。

根据本申请一实施方式，所述步骤S12或S13包括：对所述外延片的背离所述热沉基板的一面进行减薄和抛光处理。