[发明专利]静电放电防护结构及静电放电强健型半导体装置

摘要

本发明提供一种静电放电防护结构及静电放电强健型半导体装置，其包括基板、深井区、漏极区、顶掺杂区、氧化层区、栅极区、基体区以及扩增区。深井区设置于基板上；漏极区设置于深井区上以作为输入端；顶掺杂区设置于深井区上且邻近漏极区；氧化层区设置于顶掺杂区上并覆盖顶掺杂区及部分漏极区；栅极区设置于氧化层区上并覆盖部分深井区及氧化层区，以作为控制端；基体区设置于基板上，并邻近栅极区以作为基体端；扩增区设置于基板上且位于基体区相对于栅极区的一侧，并远离栅极区以作为输出端。通过上述的设置，使扩增区、基体区和漏极区之间形成寄生晶体管，以宣泄静电脉冲。

主权项

1.一种静电放电防护结构，其特征在于，所述的静电放电防护结构包括：/n一基板；/n一深井区，设置于所述基板上；/n一漏极区，设置于所述深井区上，以作为一输入端；/n一顶掺杂区，设置于所述深井区上，且邻近于所述漏极区；/n一氧化层区，设置于所述顶掺杂区上，并覆盖所述顶掺杂区及一部分的所述漏极区；/n一栅极区，设置于所述氧化层区上，并覆盖一部分的所述深井区及所述氧化层区，以作为一控制端；/n一基体区，设置于所述基板上，并邻近所述栅极区，以作为一基体端；以及/n一扩增区，设置于所述基板上，而位于所述基体区相对于所述栅极区的一侧，并远离所述栅极区，以作为一输出端；/n其中，所述扩增区及所述漏极区为一第一导电类型，而所述基体区为一第二导电类型，所述扩增区、所述基体区与所述漏极区之间生成一寄生晶体管。/n