[发明专利]静电放电防护结构及静电放电强健型半导体装置

权利要求书

1.一种静电放电防护结构，其特征在于，所述的静电放电防护结构包括：

一基板；

一深井区，设置于所述基板上；

一漏极区，设置于所述深井区上，以作为一输入端；

一顶掺杂区，设置于所述深井区上，且邻近于所述漏极区；

一氧化层区，设置于所述顶掺杂区上，并覆盖所述顶掺杂区及一部分的所述漏极区；

一栅极区，设置于所述氧化层区上，并覆盖一部分的所述深井区及所述氧化层区，以作为一控制端；

一基体区，设置于所述基板上，并邻近所述栅极区，以作为一基体端；以及

一扩增区，设置于所述基板上，而位于所述基体区相对于所述栅极区的一侧，并远离所述栅极区，以作为一输出端；

其中，所述扩增区及所述漏极区为一第一导电类型，而所述基体区为一第二导电类型，所述扩增区、所述基体区与所述漏极区之间生成一寄生晶体管；

所述的静电放电防护结构还包括一导引区，所述导引区设置于所述基板上相对于所述深井区的一侧，且所述扩增区及所述基体区设置于所述导引区上。

2.如权利要求1所述的静电放电防护结构，其特征在于，所述的静电放电防护结构还包括一宣泄区及一导引区，所述导引区设置于所述基板上相对于所述深井区的一侧，所述宣泄区设置于所述基板上而邻近于所述导引区且远离所述深井区，而所述基体区设置于所述导引区上，所述扩增区设置于所述宣泄区上。

3.如权利要求1所述的静电放电防护结构，其特征在于，所述扩增区和所述基体区之间具有一隔离件，所述隔离件防止所述扩增区及所述基体区导通。

4.如权利要求1所述的静电放电防护结构，其特征在于，所述漏极区包括一井部及一载子漂移部，所述载子漂移部位于所述井部上。

5.一种静电放电强健型半导体装置，其特征在于，所述的静电放电强健型半导体装置包括：

一受防护元件；以及

一静电放电防护结构，其包括：

一基板；

一深井区，设置于所述基板上；

一漏极区，设置于所述深井区上，以作为一输入端，且所述输入端连接所述受防护元件的一接脚；

一顶掺杂区，设置于所述深井区上，且邻近于所述漏极区；

一氧化层区，设置于所述顶掺杂区上，并覆盖所述顶掺杂区及一部分的所述漏极区；

一栅极区，设置于所述氧化层区上，并覆盖一部分的所述深井区及所述氧化层区，以作为一控制端；

一基体区，设置于所述基板上，并邻近所述栅极区，以作为一基体端；以及

一扩增区，设置于所述基板上，而位于所述基体区相对于所述栅极区的一侧，并远离所述栅极区，以作为一输出端；

其中，当一静电脉冲从所述受防护元件的所述接脚输入且所述输出端接地时，而所述静电脉冲大于所述静电放电防护结构的一阈值电压，促使所述静电放电防护结构导通，所述静电脉冲从而在所述输出端宣泄；

所述静电放电防护结构还包括一导引区，所述导引区设置于所述基板上相对于所述深井区的一侧，且所述扩增区及所述基体区设置于所述导引区上。

6.如权利要求5所述的静电放电强健型半导体装置，其特征在于，所述静电放电防护结构还包括一宣泄区及一导引区，所述导引区设置于所述基板上相对于所述深井区的一侧，所述宣泄区设置于所述基板上而邻近于所述导引区且远离所述深井区，而所述基体区设置于所述导引区上，所述扩增区设置于所述宣泄区上。

7.如权利要求5所述的静电放电强健型半导体装置，其特征在于，所述扩增区和所述基体区之间具有一隔离件，所述隔离件防止所述扩增区及所述基体区导通。

8.如权利要求5所述的静电放电强健型半导体装置，其特征在于，所述漏极区包括一井部及一载子漂移部，所述载子漂移部位于所述井部上。