[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201811389962.5 | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN111200019B | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H10B10/00;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，半导体结构的形成方法包括：提供基底，基底包括多个器件单元区域，器件单元区域包括第一区域和第二区域，第一区域形成的晶体管共用一栅极，第二区域形成的晶体管共用另一栅极；刻蚀基底，形成衬底以及多个分立于所述衬底上的鳍部；形成横跨多个鳍部的金属栅极结构，且金属栅极结构覆盖鳍部的部分顶面和部分侧壁；在形成金属栅极结构后，去除第一区域和第二区域交界处的金属栅极结构，形成第一开口；在第一开口中形成第一隔离结构。本发明中，所述鳍部上的金属栅极结构与第一隔离结构之间不存在多层结构融合后留有残留的问题，相应的，所以所述金属栅极结构对沟道的控制力强，优化了半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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