[发明专利]快恢复二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201811388533.6 | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN111211157A | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 肖秀光;张伟 | 申请（专利权）人： | 深圳比亚迪微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 518119 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了快恢复二极管及其制备方法。其中，快恢复二极管包括：元胞区、围绕所述元胞区设置的主结区和围绕所述主结区设置的终端区，所述主结区中的主结掺杂区的掺杂浓度小于所述元胞区中的有源区的掺杂浓度，并且在由内向外的方向上，所述主结掺杂区中的掺杂浓度逐渐降低。通过设置主结掺杂区的掺杂浓度小于元胞区中有源区的掺杂浓度，且掺杂浓度由内向外逐渐降低，使得主结区在导通时注入的过剩载流子低于元胞区，反向恢复时主结区的电流密度低于元胞区，从而改善了快恢复二极管的电流集边效应，提升了快恢复二极管的鲁棒性。 | ||
| 搜索关键词： | 恢复 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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