[发明专利]快恢复二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种快恢复二极管，包括：元胞区、围绕所述元胞区设置的主结区和围绕所述主结区设置的终端区，其特征在于，所述主结区中的主结掺杂区的掺杂浓度小于所述元胞区中的有源区的掺杂浓度,并且在由内向外的方向上,所述主结掺杂区中的掺杂浓度逐渐降低。

2.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，在由内向外的方向上，所述主结掺杂区中的掺杂浓度线性降低或非线性降低。

3.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述主结掺杂区包括由内向外依次设置的至少两个渐变掺杂区，且在由内向外的方向上，多个所述渐变掺杂区中的最高掺杂浓度逐渐降低。

4.根据权利要求3所述的快恢复二极管，其特征在于，在由内向外的方向上，每个所述渐变掺杂区中的掺杂浓度相同、线性降低或非线性降低。

5.根据权利要求3所述的快恢复二极管，其特征在于，每个所述渐变掺杂区的宽度为10～200微米。

6.根据权利要求3所述的快恢复二极管，所述渐变掺杂区的数量为2～25个。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的快恢复二极管，其特征在于，所述主结区的宽度为20微米～1000微米。

8.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，包括：

衬底；

外延层，所述外延层设置在所述衬底的上表面上；

场氧化层，所述场氧化层设置在所述外延层的上表面上，且位于终端区；

所述主结掺杂区，所述主结掺杂区从所述外延层的上表面向所述外延层中延伸；

绝缘介质层，所述绝缘介质层设置在所述场氧化层、所述主结掺杂区的上表面上；

阳极金属，所述阳极金属设置在所述绝缘介质层和元胞区中的有源区的上表面上；

钝化层，所述钝化层设置在阳极金属的上表面上；

背面金属，所述背面金属设置在所述衬底的下表面上。

9.一种制备权利要求1～8中任一项所述的快恢复二极管的方法，其特征在于，包括：

在衬底的上表面上形成外延层；

在所述外延层的上表面上形成位于终端区的场氧化层；

对未被所述场氧化层覆盖的所述外延层进行掺杂处理，以形成位于元胞区的有源区和位于主结区的主结掺杂区。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述掺杂处理是利用一个光罩版进行的，所述光罩版上与所述有源区对应的位置设有有源区开口，所述光罩版与所述主结区对应的位置包括多个由内向外间隔设置的环形开口，且在由内向外的方向上，单位面积的所述光罩版中所述环形开口的面积占比逐渐减小。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在由内向外的方向上，多个所述环形开口的宽度相同，且相邻两个所述环形开口之间的间距逐渐增大。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在由内向外的方向上，多个所述环形开口的宽度逐渐减小，且相邻两个所述环形开口之间的间距相等或逐渐增大。

13.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述场氧化层和所述主结掺杂区的上表面上形成绝缘介质层；

在所述绝缘介质层和所述有源区的上表面上形成阳极金属；

在所述阳极金属的上表面上形成钝化层；

在所述衬底的下表面上形成背面金属。