[发明专利]一种小功率抗辐射晶体管芯片及制备方法

摘要

本发明公开了一种小功率抗辐射晶体管芯片及制备方法，由基区、发射区、发射区键合点和基区键合点组成，基区的轮廓为葫芦形，基区一端的轮廓为大圆弧，基区另一端的轮廓为小圆弧，大圆弧的半径大于小圆弧的半径，基区位于大圆弧区域的表面由下向上依次设有发射区、发射区键合点，基区位于小圆弧区域的表面设有基区键合点，发射区、发射区键合点和基区键合点均位于基区的同一侧表面，基区的另一侧表面与基底接触，发射区、发射区键合点和基区键合点的轮廓均为圆形，基区的大圆弧半径、发射区的半径、发射区键合点的半径依次减小，基区的小圆弧半径、基区键合点的半径依次减小，发射区、基区和基底均为半导体层。本发明提供的芯片具有抗辐射能力。

主权项

1.一种小功率抗辐射晶体管芯片，其特征是，由基区、发射区、发射区键合点和基区键合点组成，所述基区为层状结构，所述基区的轮廓为葫芦形，基区一端的轮廓为大圆弧，基区另一端的轮廓为小圆弧，大圆弧的半径大于小圆弧的半径，所述基区位于大圆弧区域的表面由下向上依次设有发射区、发射区键合点，所述基区位于小圆弧区域的表面设有基区键合点，发射区、发射区键合点和基区键合点均位于基区的同一侧表面，基区的另一侧表面与基底接触，所述发射区键合点和基区键合点均为金属层，所述发射区、发射区键合点和基区键合点的轮廓均为圆形，基区的大圆弧半径、发射区的半径、发射区键合点的半径依次减小，基区的小圆弧半径、基区键合点的半径依次减小，发射区、基区和基底均为半导体层，所述基区和基底的半导体的P、N型不同，所述发射区和基区半导体的P、N型不同。