[发明专利]存储器件在审
申请号: | 201811381430.7 | 申请日: | 2018-11-20 |
公开(公告)号: | CN109872995A | 公开(公告)日: | 2019-06-11 |
发明(设计)人: | 郑智贤;朴哉炫 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/11551 | 分类号: | H01L27/11551;H01L27/11517;H01L27/11578;H01L27/11563 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本公开提供了存储器件。一种存储器件包括在基板上处于第一水平面的第一单元块以及在基板上处于不同于第一水平面的第二水平面的第二单元块。第一单元块和第二单元块中的每个包括:在第一方向上延伸的字线,该第一方向平行于基板的顶表面;连接到字线在第一方向上的中心点的字线接触;在第二方向上延伸的位线,该第二方向平行于基板的顶表面并与第一方向交叉;连接到位线在第二方向上的中心点的位线接触;以及在字线和位线之间的存储单元。第二单元块在第一方向和第二方向中的至少一个上从第一单元块偏移。 | ||
搜索关键词: | 单元块 基板 存储器件 字线 方向平行 顶表面 中心点 位线 存储单元 方向交叉 位线接触 字线接触 偏移 延伸 | ||
【主权项】:
1.一种存储器件,包括:第一单元块,在基板上处于第一水平面;和第二单元块,在所述基板上处于不同于所述第一水平面的第二水平面,其中所述第一单元块和所述第二单元块中的每个包括:在第一方向上延伸的字线,该第一方向平行于所述基板的顶表面;字线接触,连接到所述字线在所述第一方向上的中心点;在第二方向上延伸的位线,该第二方向平行于所述基板的顶表面并与所述第一方向交叉;位线接触,连接到所述位线在所述第二方向上的中心点;以及在所述字线和所述位线之间的存储单元,其中所述第二单元块在所述第一方向和所述第二方向中的至少一个上从所述第一单元块偏移。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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