[发明专利]存储器件

说明书

本公开提供了存储器件。一种存储器件包括在基板上处于第一水平面的第一单元块以及在基板上处于不同于第一水平面的第二水平面的第二单元块。第一单元块和第二单元块中的每个包括：在第一方向上延伸的字线，该第一方向平行于基板的顶表面；连接到字线在第一方向上的中心点的字线接触；在第二方向上延伸的位线，该第二方向平行于基板的顶表面并与第一方向交叉；连接到位线在第二方向上的中心点的位线接触；以及在字线和位线之间的存储单元。第二单元块在第一方向和第二方向中的至少一个上从第一单元块偏移。

技术领域

本发明构思涉及存储器件，更具体地，涉及具有交叉点阵列结构的存储器件。

背景技术

随着电子产品变得更小并且重量、厚度和尺寸减小，对存储器件的高集成密度的需求会增加。高集成密度存储器件可以使用三维(3D)交叉点结构，其中存储单元提供在两个电极之间的交叉点处。当存储器件堆叠成两层或更多层时，存储器件的布线电阻或布线连接区域的面积会增大。

发明内容

本发明构思的实施方式可以提供一种具有相对低的布线电阻和相对紧凑的尺寸的交叉点阵列存储器件。

根据本发明构思的一些实施方式，提供一种存储器件，该存储器件包括在基板上处于第一水平面的第一单元块以及在基板上处于与第一水平面不同的第二水平面的第二单元块，其中第一单元块和第二单元块的每个包括：在第一方向上延伸的字线，该第一方向平行于基板的顶表面；连接到字线在第一方向上的中心点的字线接触；在第二方向上延伸的位线，该第二方向平行于基板的顶表面并与第一方向交叉；连接到位线在第二方向上的中心点的位线接触；以及在字线和位线之间的存储单元，其中第二单元块在第一方向和第二方向中的至少一个上从第一单元块偏移。

根据本发明构思的另一些实施方式，提供一种存储器件，该存储器件包括在基板上的第一单元块、在第一单元块上的第二单元块、在第二单元块上的第三单元块以及在第三单元块上的第四单元块，其中第一单元块至第四单元块中的每个包括：在与基板的顶表面平行的第一方向上延伸的字线；连接到字线在第一方向上的中心点的字线接触；在平行于基板的顶表面并与第一方向交叉的第二方向上延伸的位线；连接到位线在第二方向上的中心点的位线接触；以及在字线与位线之间的存储单元，其中第一单元块至第四单元块中的至少一个在第一方向和第二方向中的至少一个上从第一单元块至第四单元块中的另一个偏移。

根据本发明构思的另一些实施方式，提供一种存储器件，该存储器件包括在基板上处于第一水平面的第一单元块、在基板上处于不同于第一水平面的第二水平面的第二单元块、在基板上处于不同于第一水平面和第二水平面的第三水平面的第三单元块、以及在基板上处于不同于第一水平面至第三水平面的第四水平面的第四单元块，其中第一单元块至第四单元块中的每个包括：在平行于基板的顶表面的第一方向上彼此间隔开的第一子单元阵列区域和第二子单元阵列区域；以及在第二方向上分别与第一子单元阵列区域和第二子单元阵列区域间隔开的第三子单元阵列区域和第四子单元阵列区域，该第二方向与第一方向交叉，其中第一单元块至第四单元块在第一方向和第二方向中的至少一个上彼此偏移。

附图说明

从以下结合附图的详细描述，本发明构思的实施方式将被更清楚地理解，附图中：

图1是根据本发明构思的示例实施方式的存储器件的等效电路图；

图2A是根据本发明构思的示例实施方式的存储器件的分解透视图；

图2B是根据本发明构思的另一些示例实施方式的存储器件的分解透视图；

图2C是根据本发明构思的另一些示例实施方式的存储器件的分解透视图；

图3是根据本发明构思的示例实施方式的存储器件的透视图；

图4至图7分别是图3的第一单元块、第二单元块、第三单元块和第四单元块的俯视布局图；