[发明专利]一种高非线性、低漏电流压敏电阻片及其制备方法

摘要

本发明提供了一种高非线性、低漏电流压敏电阻片，组成成分包括：ZnO、Bi₂O₃、Co₂O₃、MnO₂、Sb₂O₃、Cr₂O₃、NiO、SiO₂和Al₂O₃，且各成分之间的摩尔比为ZnO:Bi₂O₃:Co₂O₃:MnO₂:Sb₂O₃:Cr₂O₃:NiO:SiO₂:Al₂O₃＝1520‑1540:7‑12:15‑17:8‑10:13‑16:4‑6:7‑9:23‑25:0.8‑1.5。进一步的，本发明还提供了上述高非线性、低漏电流压敏电阻片的制备方法。本发明通过氧化物原料的特定配比影响烧结机制和势垒高度，降低了烧成温度并提高了ZnO压敏电阻的非线性，降低ZnO电阻片漏电流，具有更高的性能且制备过程工艺简单，生产成本低，利于规模化生产。

主权项

1.一种高非线性、低漏电流压敏电阻片，其特征在于：组成成分包括：ZnO、Bi2O3、Co2O3、MnO2、Sb2O3、Cr2O3、NiO、SiO2和Al2O3，且各成分之间的摩尔比为ZnO:Bi2O3:Co2O3:MnO2:Sb2O3:Cr2O3:NiO:SiO2:Al2O3＝1520‑1540:7‑12:15‑17:8‑10:13‑16:4‑6:7‑9:23‑25:0.8‑1.5。