[发明专利]一种高非线性、低漏电流压敏电阻片及其制备方法在审
| 申请号： | 201811373514.6 | 申请日： | 2018-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN109574653A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 姚政;施利毅;任鑫;袁帅;余文琪 | 申请（专利权）人： | 上海大学（浙江·嘉兴）新兴产业研究院 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;C04B35/622;H01C7/112 |
| 代理公司： | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 漏电流 压敏电阻片 高非线性 制备 规模化生产 生产成本低 氧化物原料 烧结机制 压敏电阻 制备过程 电阻片 摩尔比 配比 烧成 势垒 | ||
1.一种高非线性、低漏电流压敏电阻片，其特征在于：组成成分包括：ZnO、Bi2O3、Co2O3、MnO2、Sb2O3、Cr2O3、NiO、SiO2和Al2O3，且各成分之间的摩尔比为ZnO:Bi2O3:Co2O3:MnO2:Sb2O3:Cr2O3:NiO:SiO2:Al2O3＝1520-1540:7-12:15-17:8-10:13-16:4-6:7-9:23-25:0.8-1.5。
2.权利要求1所述高非线性、低漏电流压敏电阻片的制备方法，步骤包括：
S1、将氧化物添加剂和去离子水混合后进行一次球磨；所述氧化物添加剂包括：Bi2O3、Co2O3、MnO2、Sb2O3、Cr2O3、NiO、SiO2和Al2O3；以摩尔比计，Bi2O3:Co2O3:MnO2:Sb2O3:Cr2O3:NiO:SiO2:Al2O3＝7-12:15-17:8-10:13-16:4-6:7-9:23-25:0.8-1.5；
S2、向一次球磨后的浆料中加入ZnO、分散剂、聚乙烯醇溶液和去离子水，并进行二次球磨；
S3、将二次球磨后的浆料喷雾造粒得到的粉料，将粉料压制成坯体；
S4、将坯体高温煅烧，从10-30℃升温至445-455℃进行排胶，升温用时200-250min，然后在445-455℃保温100-120min，排胶结束；
S5、排胶结束后直接升温至1000-1100℃进行烧成，升温用时270-350min，保温时间为120-180min；烧成后，随炉冷却。
3.如权利要求2所述的高非线性、低漏电流压敏电阻片的制备方法，其特征在于：步骤S1中，所述一次球磨时间为2400-3000min。
4.如权利要求2所述的高非线性、低漏电流压敏电阻片的制备方法，其特征在于：步骤S2中，所述二次球磨时间为1200-1560min。
5.如权利要求2所述的高非线性、低漏电流压敏电阻片的制备方法，其特征在于：步骤S2中，所加入的ZnO与一次球磨混合浆料中的Bi2O3的摩尔比为1520-1540:7-12。
6.如权利要求2所述的高非线性、低漏电流压敏电阻片的制备方法，其特征在于：步骤S2中，所述分散剂为聚乙二醇、聚丙烯酸铵、十二烷基醋酸胺、脂肪醇聚氧乙烯醚中的一种或几种。
7.如权利要求6所述的高非线性、低漏电流压敏电阻片的制备方法，其特征在于：步骤S2中，所述分散剂添加质量为ZnO质量的1.5～2％。
8.如权利要求2所述的高非线性、低漏电流压敏电阻片的制备方法，其特征在于：步骤S2中，所述聚乙烯醇溶液的质量浓度为5.1-6％。
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