[发明专利]GaN基功率器件的栅极结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201811372283.7 | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN111200013A | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 刘斌;范亚明;朱璞成;熊其平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/66;H01L29/778;H01L21/28;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王茹;王锋 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基功率器件的栅极结构及其制作方法。栅极结构包括依次设置的介质层、第一过渡层、第二过渡层和堆叠栅电极层，在第一过渡层和第二过渡层之间还设置有一层以上的功函数层，功函数层包括基础材料层，在基础材料层上设置有一个以上的窗口，窗口内填充有复合材料，复合材料至少由形成基础材料层的基础材料与功函数调节材料复合形成；基础材料选自金属化合物，功函数调节材料选自金属材料。本发明实施例提供的GaN基功率器件的栅极结构功函数层内的功函数调节材料元素分层分布和/或图形化分布控，能有效调制GaN基功率器件的栅极区域电流和电场密度分布，解决引入功函数层带来的不利影响，使器件达到热平衡以及能够提高器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | gan 功率 器件 栅极 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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