[发明专利]一种纳米浸渍瞬态共晶相连接SiC陶瓷的方法及其制备的陶瓷和应用有效
| 申请号： | 201811371797.0 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN109437910B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 郭伟明;吴利翔;朱林林;牛文彬;卫紫君;林锐霖;林华泰 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/622;C04B35/626;G21C3/07 |
| 代理公司： | 广东广信君达律师事务所 44329 | 代理人： | 杨晓松 |
| 地址： | 510062 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明属于陶瓷连接技术领域，公开了一种纳米浸渍瞬态共晶相连接SiC陶瓷的方法。该方法是将SiC粉体和Al |
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| 搜索关键词： | 一种 纳米 浸渍 瞬态 相连 sic 陶瓷 方法 及其 制备 应用 | ||
【主权项】：
1.一种纳米浸渍瞬态共晶相连接SiC陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下具体步骤：S1.将SiC粉体和Al2O3‑MxOy的混合粉体A作为连接材料，所述MxOy＝Ho2O3或CeO2，将混合粉体A加入溶剂和球磨介质混合，干燥后得到混合粉体B；S2.将混合粉体B进行造粒，将造粒后粉体铺展在两块抛光后的SiC中间形成三明治结构；S3.将上述三明治结构样品进行冷等静压处理，在真空或保护气氛下，冷等静压的压力为200～500MPa，先升温至600～1000℃保温Ⅰ，再升温至1200～1600℃保温Ⅱ，加压0.01～0.1MPa进行连接，制得纳米浸渍瞬态共晶相连接的SiC陶瓷。
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