[发明专利]用于半导体制造装置的监控系统及监控方法在审
| 申请号： | 201811369340.6 | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN111199896A | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;G01N33/00 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种用于半导体制造装置的监控系统及其监控方法，该监控系统包括：半导体制造装置，具有用于对半导体进行沉积的反应室；残余气体分析器，所述残余气体分析器安装于所述反应室，具有：检测单元，用于对所述反应室中的状态信息进行实时检测来获取所述实时状态信息。能够对反应室中进行的制备工艺进行实时监控，因此能够即时发现产生的漏气、源变质、污染、排气等不良，从而避免产生大量的不良产品，极大地降低了生产成本。另外，由于在制备工艺中不需要人为地进行监控，不仅避免了因操作人员的误操作而引起产品不良，而且大幅地减轻了操作人员的负担。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 制造 装置 监控 系统 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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