[发明专利]用于半导体制造装置的监控系统及监控方法

说明书

本发明提供一种用于半导体制造装置的监控系统及其监控方法，该监控系统包括：半导体制造装置，具有用于对半导体进行沉积的反应室；残余气体分析器，所述残余气体分析器安装于所述反应室，具有：检测单元，用于对所述反应室中的状态信息进行实时检测来获取所述实时状态信息。能够对反应室中进行的制备工艺进行实时监控，因此能够即时发现产生的漏气、源变质、污染、排气等不良，从而避免产生大量的不良产品，极大地降低了生产成本。另外，由于在制备工艺中不需要人为地进行监控，不仅避免了因操作人员的误操作而引起产品不良，而且大幅地减轻了操作人员的负担。

技术领域

本发明涉及半导体制造装置，特别涉及用于半导体制造装置的监控系统及监控方法。

背景技术

当前，随着半导体广泛地适用于计算机、移动电话等数字产品，半导体产品的制造工艺也受到了广泛地关注。

在现有的半导体的制造工艺中，可以采用化学气相沉积(Chemical VaporDeposition：CVD)工艺、物理气相沉积(Physical Vapor Deposition：PVD)工艺、金属物理气相沉积(metal Physical Vapor Deposition)等来制造半导体。然而，随着器件小型化的不断深入，半导体结构的尺寸越来越小，尤其半导体产品的关键尺寸缩小到30nm以下时，对半导体制造装置的要求也越来越苛刻，例如在化学气象沉积装置中对半导体的包括阶梯覆盖性、沉积均匀性、沉积厚度等的品质有严格的要求。由于物理气相沉积工艺具有例如可选薄膜材料广泛、沉积进行温度相对较低、结合能力优异等优点，因此物理气相沉积工艺在多数半导体的制造工艺中成为必不可少的工艺。

但是，由于现有技术对半导体制造装置的反应室中进行的工艺并不能实时地进行监控，因此不能即时发现产生的漏气、源变质、污染、排气等不良，导致产生大量的不良产品，从而引起生产成本上升。另外，在人为地进行监控的装置中，还有可能因操作人员的误操作而引起产品不良，而且人为地监控也增大了操作人员的负担。

发明内容

鉴于上述现有技术中存在的问题，本发明的一个目的在于，提供一种能够对在反应室中制造半导体进行实时监控的用于半导体制造装置的监控系统及其监控方法。

为了实现上述目的，本发明提供一种用于半导体制造装置的监控系统，其特征在于，该监控系统包括：

半导体制造装置，具有用于对半导体进行沉积的反应室；

残余气体分析器，所述残余气体分析器安装于所述反应室，具有：检测单元，用于对所述反应室中的状态信息进行实时检测来获取所述实时状态信息。

可选地，所述实时状态信息为实时质荷比信息和/或浓度信息。

可选地，故障检测分类系统具有：接收单元，与所述残余气体分析器进行信息通信来获取所述实时状态信息；监控单元，分析获取的所述实时状态信息，并基于分析结果对所述半导体制造装置进行监控。

可选地，所述故障检测分类系统设定特征变量状态目标值。

可选地，在半导体制造装置与所述故障检测分类系统之间设定互锁(Interlock)控制。

可选地，所述互锁控制为，将所述实时状态信息与所述特征变量状态目标值进行比较，所述实时状态信息位于所述特征变量状态目标值的规定范围时，所述半导体制造装置运行；所述实时状态信息超出所述特征变量状态目标值的规定范围时，所述半导体制造装置产生互锁。

可选地，该监控系统还包括在线服务器，所述在线服务器用于从所述残余气体分析器接收数据，并将接收的所述实时状态信息发送至故障检测分类系统。

可选地，该监控系统还包括用户显示器，所述用户显示器用于显示所述故障检测分类系统接收的所述实时状态信息。

本发明还提供一种用于半导体制造装置的监控方法，其特征在于，包括：