[发明专利]工业硅真空熔炼产物的纯度检测方法

摘要

本发明公开了工业硅真空熔炼产物的纯度检测方法：(a)选取两个同批次同型号的坩埚A、坩埚B，测定其质量为m_A1、m_B1；(b)称取M克真空熔炼产物，置于坩埚A中，加水润湿，依次加入1～3ml密度为1.84g/ml的硫酸、8ml密度为1.15g/ml的氢氟酸、5ml密度为1.42g/ml的硝酸，对坩埚A低温加热蒸发直至内部干燥；(c)将坩埚A、坩埚B共同置于高温炉内，在850～1000℃的高温下灼烧30～40min，将坩埚A、坩埚B共同冷却至室温，称取此时重量分别记为m_A2、m_B2；(d)计算真空熔炼产物中硅的百分含量：Si(％)＝[M‑(m_A2‑m_A1)×S‑(m_B2‑m_B1)]÷M×100％。本发明用以解决现有技术中不便直接对工业硅的硅纯度进行测定的问题，实现简单、快速的对冶金行业中工业硅纯度进行检测的目的。

主权项

1.工业硅真空熔炼产物的纯度检测方法，其特征在于，包括以下步骤：(a)选取两个同批次同型号的铂坩埚，分别标记为坩埚A、坩埚B，分别测定其质量为mA1、mB1；(b)称取M克真空熔炼产物，置于坩埚A中，加水润湿，之后依次加入1～3ml密度为1.84g/ml的硫酸、8ml密度为1.15g/ml的氢氟酸、5ml密度为1.42g/ml的硝酸，待坩埚A内反应停止后，对坩埚A低温加热蒸发直至内部干燥；(c)再将坩埚A、坩埚B共同置于高温炉内，在850～1000℃的高温下灼烧30～40min，取出坩埚A、坩埚B，将坩埚A、坩埚B共同置于干燥器中冷却至室温，称取此时坩埚A、坩埚B的重量分别记为mA2、mB2；(d)计算真空熔炼产物中硅的百分含量：Si(％)＝[M‑(mA2‑mA1)×S‑(mB2‑mB1)]÷M×100％，其中S为氧化系数。