[发明专利]工业硅真空熔炼产物的纯度检测方法

权利要求书

1.工业硅真空熔炼产物的纯度检测方法，其特征在于，包括以下步骤：

(a)选取两个同批次同型号的铂坩埚，分别标记为坩埚A、坩埚B，分别测定其质量为m_A1、m_B1；

(b)称取M克真空熔炼产物，置于坩埚A中，加水润湿，之后依次加入1～3ml密度为1.84g/ml的硫酸、8ml密度为1.15g/ml的氢氟酸、5ml密度为1.42g/ml的硝酸，待坩埚A内反应停止后，对坩埚A低温加热蒸发直至内部干燥；

(c)再将坩埚A、坩埚B共同置于高温炉内，在850～1000℃的高温下灼烧30～40min，取出坩埚A、坩埚B，将坩埚A、坩埚B共同置于干燥器中冷却至室温，称取此时坩埚A、坩埚B的重量分别记为m_A2、m_B2；

(d)计算真空熔炼产物中硅的百分含量：

Si(％)＝[M-(m_A2-m_A1)×S-(m_B2-m_B1)]÷M×100％，其中S为氧化系数。

2.根据权利要求1所述的工业硅真空熔炼产物的纯度检测方法，其特征在于，氧化系数S的获取方法为：获取步骤(c)完成后坩埚A中剩余残留物中三氧化二铁、三氧化二铝、氧化钙各自的重量分别为a、b、c，计算三氧化二铁、三氧化二铝、氧化钙分别的重量占比为x＝a/(a+b+c)，y＝b/(a+b+c)，z＝c/(a+b+c)，则S＝0.7x+0.529y+0.714z。

3.根据权利要求1所述的工业硅真空熔炼产物的纯度检测方法，其特征在于，步骤(b)中氢氟酸沿坩埚A内壁加入，硫酸和硝酸均由刻度吸管滴入在真空熔炼产物上。

4.根据权利要求1所述的工业硅真空熔炼产物的纯度检测方法，其特征在于，步骤(b)中低温加热的温度范围为80～90℃。

5.根据权利要求1所述的工业硅真空熔炼产物的纯度检测方法，其特征在于，步骤(b)中依次加入硫酸、氢氟酸、硝酸后，对坩埚A加盖，直至反应停止。

6.根据权利要求1所述的工业硅真空熔炼产物的纯度检测方法，其特征在于，选取的坩埚A、坩埚B需满足|m_A1-m_B1|＜20g。