[发明专利]一种钴掺杂二硫化锡纳米片阵列材料及其制备方法和应用

摘要

本发明提供了一种钴掺杂二硫化锡纳米片阵列材料及其制备方法和应用，与现有技术相比，本发明在密闭的高温高压反应釜中，采用异丙醇作为反应溶剂，按比例加入锡源、硫源和钴盐混合均匀，通过加热反应体系，产生一个高压环境而制备钴掺杂SnS2纳米片阵列材料。一方面，二维纳米片结构使材料整体的表面积增大，纳米片的表面附着的小颗粒SnS2可以提供更多的活性位点，更有利于电子的转移与传输，使材料具有更好的电化学催化响应和稳定性；另一方面，以碳纤维作为基底具有良好的导电性并且可以直接作为柔性电极材且不会影响电极反应。因此，选取碳纤维作为水热法合成的基底，在其表面生长二维结构，并直接用作析氧反应的催化。

主权项

1.一种钴掺杂二硫化锡纳米片阵列材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：S1：清洗碳纤维；S2：将锡源、硫源和钴盐置于异丙醇中，得到混合溶液，倒入反应釜，加入碳纤维，密闭反应釜，加热反应，反应结束，自然冷却至室温，产物经清洗干燥得到负载在碳纤维上的钴钴掺杂二硫化锡纳米片阵列材料。