[发明专利]一种钴掺杂二硫化锡纳米片阵列材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种钴掺杂二硫化锡纳米片阵列材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

S1：清洗碳纤维；

S2：将锡源、硫源和钴盐置于异丙醇中，得到混合溶液，倒入反应釜，加入碳纤维，密闭反应釜，加热反应，反应结束，自然冷却至室温，产物经清洗干燥得到负载在碳纤维上的钴掺杂二硫化锡纳米片阵列材料；

步骤S2中所述锡源在混合溶液中浓度≥0.05 mol L^-1，硫源在混合溶液中浓度≥0.2mol L^-1，步骤S2所述钴盐在混合溶液中浓度为0.0025~0.0125 mol L^-1。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S2中所述锡源选自为SnCl₄·5H₂O。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S2中所述硫源为硫代乙酰胺。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S2中所述钴盐为六水合硝酸钴。

5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤S2所述的加热反应为180℃加热24h。

6.一种权利要求1-5任一项所述方法制备的钴掺杂二硫化锡纳米片阵列材料。

7.根据权利要求6所述的钴掺杂二硫化锡纳米片阵列材料，其特征在于，在碳纤维基底表面生长直径20-100nm的SnS₂颗粒状包覆的SnS₂纳米片阵列结构，SnS₂纳米片长度1-2μm，厚度为5-10nm。

8.一种权利要求1-5任一项所述方法制备的钴掺杂二硫化锡纳米片阵列材料在电解水析氧反应的应用。