[发明专利]一种基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法及其在忆阻器的应用有效
| 申请号： | 201811365078.8 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN109560195B | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 张缪城;王宇;沈心怡;何南;童祎;连晓娟;万相 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 姚姣阳 |
| 地址： | 210023 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法及其在忆阻器的应用，首先将二维MXene粉末和二甲基亚砜溶液超声混合均匀得到混合分散液，然后再利用甩胶的方法在具有疏水性的硅片生长了一层均匀致密的MXene薄膜，极大地扩展了MXene这种二维材料在硅基半导体器件上的应用前景。最后成功用这种方法制备出了以MXene为介变层的忆阻器单一器件，推动了忆阻器新型二维材料的介变层的研究进展。本发明制备出的均匀MXene薄膜，具有良好的稳定性、较高的导电性、稳定性、机械性能，所述方法简单、成本低廉、适合大规模应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 半导体器件 均匀 mxene 薄膜 制备 方法 及其 忆阻器 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：S1：向10ml离心管中加入MXene粉末和二甲基亚砜溶液；S2：将S1步骤得到的混合溶液进行超声混合，超声混合时间为30min，然后打开甩胶机将硅片放置于甩胶机上，转速设为200转，用胶头滴管将混合溶液的上清液匀速滴到硅片上；S3：加大甩胶机转速，60s后关闭甩胶机，然后取出硅片进行加热烘干，得到均匀MXene薄膜。
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