[发明专利]一种基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法及其在忆阻器的应用有效
| 申请号： | 201811365078.8 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN109560195B | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 张缪城;王宇;沈心怡;何南;童祎;连晓娟;万相 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 姚姣阳 |
| 地址： | 210023 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 半导体器件 均匀 mxene 薄膜 制备 方法 及其 忆阻器 应用 | ||
1.一种基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法，其特征在于：
该方法包括如下步骤：
S1：向10ml离心管中加入MXene粉末和二甲基亚砜溶液；
S2：将S1步骤得到的混合溶液进行超声混合，超声混合时间为30min，然后打开甩胶机将硅片放置于甩胶机上，转速设为200转，用胶头滴管将混合溶液的上清液匀速滴到硅片上；
S3：加大甩胶机转速，60s后关闭甩胶机，然后取出硅片进行加热烘干，得到均匀MXene薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法，其特征在于：在S1步骤中，所述MXene粉末和二甲基亚砜溶液的体积比为1%~10%。
3.根据权利要求1所述的一种基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法，其特征在于：所述MXene粉末是采用氢氟酸溶液处理MAX原料，反应完全后加入去离子水洗涤至中性，溶液剥离后得到的；其中MAX原料成分是Mn+1 AXn,其中M为过渡金属，A为ⅢA和ⅣA族元素,X为C或N中的一种或两种混合。
4.根据权利要求3所述的一种基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法，其特征在于：所述M为Ti或V，A为Al或Si。
5.根据权利要求1所述的一种基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法，其特征在于：在S2步骤中，将硅片放置于甩胶机中央。
6.根据权利要求1所述的一种基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法，其特征在于：在S3步骤中，所述甩胶机的转速范围为750转~4500转。
7.根据权利要求1-6所述的任意一项基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法制得的MXene薄膜的应用，其特征在于：所述MXene薄膜应用于忆阻器二端器件的制作，MXene薄膜用于忆阻器器件的介变层，制备出了结构为Cu/MXene/SiO2/W/Si单一结构的忆阻器件。
8.根据权利要求7所述的一种基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法制得的MXene薄膜的应用，其特征在于：Cu、SiO2、W的生长方法均为物理气相沉积。
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