[发明专利]基于单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物的电存储材料及其制备方法与电存储器件有效
| 申请号： | 201811362521.6 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN109545965B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 路建美;贺竞辉 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙周强;陶海锋 |
| 地址： | 215137 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物的电存储材料及器件的制备。针对目前制备过程复杂、有机化合物分子不易成膜及在柔性器件应用受限等问题，本发明利用单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物制成简单的三明治有机电存储器件，成功实现了有机电存储行为。在制备实验过程中，实现了分子的合成和器件的制备过程，而且所制备的柔性基底器件对于有机电存储在未来柔性器件的应用方面具有很大的实用价值，这大大拓宽了有机电存储器件的应用领域。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 单宁酸 化合物 存储 材料 及其 制备 方法 器件 | ||
【主权项】：
1.单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物的沉淀物在制备电存储材料或者电存储器件中的应用。
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