[发明专利]基于单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物的电存储材料及其制备方法与电存储器件有效
| 申请号： | 201811362521.6 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN109545965B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 路建美;贺竞辉 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙周强;陶海锋 |
| 地址： | 215137 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 单宁酸 化合物 存储 材料 及其 制备 方法 器件 | ||
1.单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物的沉淀物在制备电存储材料或者电存储器件中的应用，其特征在于，将单宁酸溶液与六水合三氯化铁溶液混合后，加入碱得到单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物的沉淀物，然后将单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物的沉淀物制成有机物膜，得到电存储材料，将导电基底置入单宁酸溶液与六水合三氯化铁溶液的混合液中，然后加入碱，在导电基底的表面制备单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物的沉淀物，然后将带有单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物的沉淀物的导电基底干燥在导电基底的表面制备有机物膜；最后在有机物膜表面制备电极，得到电存储器件。
2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，有机物膜的厚度为5～30nm；单宁酸、六水合三氯化铁的质量比为4∶1；单宁酸溶液的浓度为0.4mg/mL，六水合三氯化铁溶液的浓度为0.1mg/mL；碱为氢氧化钠。
3.一种基于单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物的电存储材料的制备方法，包括以下步骤，将单宁酸溶液与六水合三氯化铁溶液混合后，加入碱得到单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物的沉淀物；然后将单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物的沉淀物制成有机物膜，得到基于单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物的电存储材料。
4.一种基于单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物的电存储器件的制备方法，包括以下步骤，将导电基底置入单宁酸溶液与六水合三氯化铁溶液的混合液中，然后加入碱，在导电基底的表面制备单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物的沉淀物；然后将带有单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物的沉淀物的导电基底干燥在导电基底的表面制备有机物膜；最后在有机物膜表面制备电极，得到基于单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物的电存储器件。
5.根据权利要求3或者4所述的制备方法，其特征在于，有机物膜的厚度为5～30nm；单宁酸、六水合三氯化铁的质量比为4∶1；单宁酸溶液的浓度为0.4mg/mL，六水合三氯化铁溶液的浓度为0.1mg/mL；碱为氢氧化钠。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，导电基底包括ITO玻璃、镀金柔性基底。
7.根据权利要求3所述的制备方法制备的基于单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物的电存储材料。
8.权利要求7所述基于单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物的电存储材料在制备基于单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物的电存储器件中的应用。
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