[发明专利]一种氧化铝薄膜及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201811361781.1 申请日: 2018-11-15
公开(公告)号: CN109457235B 公开(公告)日: 2020-11-13
发明(设计)人: 刘志强;袁中存;费正洪 申请(专利权)人: 嘉兴阿特斯光伏技术有限公司
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;C23C16/40;H01L31/18
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 巩克栋
地址: 314000 浙江省嘉兴市秀洲区高照街*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种氧化铝薄膜及其制备方法和应用,所述氧化铝薄膜包括底层氧化铝薄膜和外层氧化铝薄膜,所述制备方法具体包括以下步骤:设定原子层沉积系统的反应腔体温度,水相对于三甲基铝过量,利用原子层沉积法,得到底层氧化铝薄膜;重新设定原子层沉积系统的反应腔体温度,三甲基铝相对于水过量,利用原子层沉积法,在底层氧化铝薄膜上得到外层氧化铝薄膜,从而得到所述氧化铝薄膜。本发明的制备方法制备得到的氧化铝薄膜具有双层结构,底层膜含有大量‑OH基团,在高温处理过程中,释放出H钝化硅片表面的悬挂键。外层氧化铝薄膜含有较少‑OH基团,不会在高温处理过程中释放太多的H2,不会造成钝化膜层的损坏。
搜索关键词: 一种 氧化铝 薄膜 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
1.一种氧化铝薄膜的制备方法,其特征在于,所述氧化铝薄膜包括底层氧化铝薄膜和外层氧化铝薄膜,所述制备方法具体包括以下步骤:(1)设定原子层沉积系统的反应腔体温度,水相对于三甲基铝过量,利用原子层沉积法,得到底层氧化铝薄膜;(2)重新设定原子层沉积系统的反应腔体温度,三甲基铝相对于水过量,利用原子层沉积法,在底层氧化铝薄膜上得到外层氧化铝薄膜,从而得到所述氧化铝薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于嘉兴阿特斯光伏技术有限公司,未经嘉兴阿特斯光伏技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811361781.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top