[发明专利]一种氧化铝薄膜及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种氧化铝薄膜的制备方法，其特征在于，所述氧化铝薄膜包括底层氧化铝薄膜和外层氧化铝薄膜，所述制备方法具体包括以下步骤：

(1)设定原子层沉积系统的反应腔体温度为230～250℃，水相对于三甲基铝过量，利用原子层沉积法，得到底层氧化铝薄膜；具体的制备过程包括以下步骤：(I)向反应腔体中通入三甲基铝，流量为180～220sccm，通入时间10～30秒；(II)抽真空；(III)向反应腔体中通入水，流量为360～440sccm，通入时间10～30秒；(IV)抽真空；步骤(I)-步骤(IV)形成一个循环，重复该循环，得到所述底层氧化铝薄膜；

(2)重新设定原子层沉积系统的反应腔体温度为280～320℃，三甲基铝相对于水过量，利用原子层沉积法，在底层氧化铝薄膜上得到外层氧化铝薄膜，从而得到所述氧化铝薄膜；具体的制备过程包括以下步骤：(A)向反应腔体中通入三甲基铝，流量为190～210sccm，通入时间10～30秒；(B)抽真空；(C)向反应腔体中通入水，流量为90～110sccm，通入时间10～30秒；(D)抽真空；步骤(A)-步骤(D)形成一个循环，重复该循环，得到所述外层氧化铝薄膜。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(II)和步骤(IV)中当反应腔的压强降低到10mbar以下时，停止抽真空。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述循环重复10～50次，所述底层氧化铝薄膜的厚度为2～10nm。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述循环次数为25～35次，所述底层氧化铝薄膜的厚度为5～7nm。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(B)和步骤(D)中当反应腔的压强降低到10mbar以下时，停止抽真空。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述循环重复10～50次，所述外层氧化铝薄膜的厚度为2～10nm。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述循环次数为25～35次，所述外层氧化铝薄膜的厚度为5～7nm。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的制备方法制备得到的氧化铝薄膜。

9.一种包括权利要求8所述的氧化铝薄膜的钝化膜。

10.一种包括如权利要求9所述的钝化膜的太阳能电池。

11.一种包括如权利要求10所述的太阳能电池的太阳能组件。