[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法

摘要

一种非易失性存储器件及其制造方法，该器件包括：第一半导体层，该第一半导体层包括上基板和存储单元阵列，该存储单元阵列包括堆叠在上基板上的多个栅极导电层以及穿过所述多个栅极导电层并在垂直于上基板的顶表面的方向上延伸的多个柱；以及在第一半导体层下面的第二半导体层，第二半导体层包括下基板、在下基板和上基板之间的至少一个接触插塞以及在下基板上并配置为通过所述至少一个接触插塞输出用于所述多个柱的公共源极电压的公共源极线驱动器。

主权项

1.一种非易失性存储器件，包括：第一半导体层，所述第一半导体层包括：上基板，和存储单元阵列，所述存储单元阵列包括堆叠在所述上基板上的多个栅极导电层以及穿过所述多个栅极导电层并在垂直于所述上基板的顶表面的方向上延伸的多个柱；和第二半导体层，在所述第一半导体层下面，所述第二半导体层包括：下基板，至少一个接触插塞，在所述下基板和所述上基板之间，以及公共源极线驱动器，在所述下基板上并配置为通过所述至少一个接触插塞输出用于所述多个柱的公共源极电压。