[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法

说明书

一种非易失性存储器件及其制造方法，该器件包括：第一半导体层，该第一半导体层包括上基板和存储单元阵列，该存储单元阵列包括堆叠在上基板上的多个栅极导电层以及穿过所述多个栅极导电层并在垂直于上基板的顶表面的方向上延伸的多个柱；以及在第一半导体层下面的第二半导体层，第二半导体层包括下基板、在下基板和上基板之间的至少一个接触插塞以及在下基板上并配置为通过所述至少一个接触插塞输出用于所述多个柱的公共源极电压的公共源极线驱动器。

技术领域

实施方式涉及一种非易失性存储器件及其制造方法。

背景技术

随着信息通信设备已经发展为多功能，存储器件可以具有大容量和高集成度。由于存储单元尺寸减小以用于高集成度的目的，存储器件中包括的用于存储器件的电连接和操作的操作电路和/或布线的结构已经变得更加复杂。

发明内容

实施方式可以通过提供一种非易失性存储器件来实现，该非易失性存储器件包括：第一半导体层，包括上基板和存储单元阵列，该存储单元阵列包括堆叠在上基板上的多个栅极导电层以及穿过所述多个栅极导电层并在垂直于上基板的顶表面的方向上延伸的多个柱；以及在第一半导体层下面的第二半导体层，该第二半导体层包括下基板、在下基板和上基板之间的至少一个接触插塞以及在下基板上并配置为通过所述至少一个接触插塞向所述多个柱输出公共源极电压的公共源极线驱动器。

实施方式可以通过提供一种制造非易失性存储器件的方法来实现，该方法包括：在下基板的一部分上形成一个或更多个外围晶体管；形成覆盖所述一个或更多个外围晶体管的下绝缘层；形成穿过下绝缘层并从所述一个或更多个外围晶体管垂直延伸的一个或更多个接触插塞；在下绝缘层上形成上基板，该上基板包括电连接到所述一个或更多个接触插塞的金属层；以及形成包括堆叠在上基板上的多个栅极导电层的存储单元阵列。

实施方式可以通过提供一种非易失性存储器件来实现，该非易失性存储器件包括：第一半导体层，第一半导体层包括上基板、从上基板垂直地延伸的多个柱以及存储单元阵列，该存储单元阵列包括沿着所述多个柱的侧壁堆叠在上基板上的多个栅极导电层；以及在第一半导体层下面的第二半导体层，该第二半导体层包括下基板、下绝缘层以及一个或更多个接触插塞，在下基板上形成配置为向存储单元阵列输出公共源极电压的公共源极线驱动器，该下绝缘层在下基板与上基板之间，该一个或更多个接触插塞穿过下绝缘层的至少一部分并电连接公共源极线驱动器和上基板。

附图说明

通过参照附图详细描述示范性实施方式，特征对于本领域技术人员将是显然的，附图中：

图1示出根据一实施方式的存储器件的方框图；

图2示出根据一实施方式的图1的存储器件的结构的透视图；

图3示出根据一实施方式的图1的存储块当中的第一存储块的等效电路的电路图；

图4A和图4B示出根据一实施方式的存储器件的视图；

图5示出根据一实施方式的存储器件的截面图；

图6示出根据一实施方式的存储器件的截面图；

图7示出根据一实施方式的存储器件的截面图；

图8A和图8B示出根据一实施方式的存储器件的视图；

图9A至图9H示出根据一实施方式的按照工艺次序的制造存储器件的方法中的阶段的视图；以及

图10示出包括根据实施方式的存储器件的固态驱动器(SSD)系统的方框图。

具体实施方式

图1示出根据一实施方式的存储器件10的方框图。