[发明专利]一种基于量子点的有机场效应晶体管浮栅型存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 201811347483.7 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN109545966A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 李焕群;王睿;魏贤虎;周楠 | 申请（专利权）人： | 中通服咨询设计研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/10 | 分类号： | H01L51/10;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 胡建华 |
| 地址： | 210019 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于量子点的有机场效应晶体管浮栅型存储器，它自下而上依次包括衬底、形成于该衬底之上的栅电极、栅绝缘层、量子点薄膜层、有机半导体层和在有机半导体层上形成的源漏电极；所述量子点薄膜层与栅绝缘层之间设有聚合物修饰层，所述量子点薄膜层与有机半导体层之间设有浮栅层。本发明基于量子点的有机场效应晶体管浮栅型存储器从材料和器件结构入手，在此基础上对薄膜形貌进行调控，提升器件的存储性能，所制备的浮栅层和钙钛矿量子点层能够降低器件的操作电压，改善器件的存储性能，并具有低操作电压、高响应速度、高存储密度和高数据稳定性等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 有机场效应晶体管 浮栅型存储器 有机半导体层 薄膜层 存储性能 栅绝缘层 浮栅层 衬底 制备 低操作电压 聚合物修饰 薄膜形貌 操作电压 降低器件 量子点层 器件结构 提升器件 源漏电极 钙钛矿 高数据 高响应 栅电极 存储 调控 | ||
【主权项】：
1.一种基于量子点的有机场效应晶体管浮栅型存储器，其特征在于，它自下而上依次包括衬底、形成于该衬底之上的栅电极、栅绝缘层、量子点薄膜层、有机半导体层和在有机半导体层上形成的源漏电极；所述量子点薄膜层与栅绝缘层之间设有聚合物修饰层，所述量子点薄膜层与有机半导体层之间设有浮栅层。
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