[发明专利]一种基于量子点的有机场效应晶体管浮栅型存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于量子点的有机场效应晶体管浮栅型存储器，其特征在于，它自下而上依次包括衬底、形成于该衬底之上的栅电极、栅绝缘层、量子点薄膜层、有机半导体层和在有机半导体层上形成的源漏电极；所述量子点薄膜层与栅绝缘层之间设有聚合物修饰层，所述量子点薄膜层与有机半导体层之间设有浮栅层。

2.根据权利要求1所述的基于量子点的有机场效应晶体管浮栅型存储器，其特征在于，所述聚合物修饰层和浮栅层的均质为聚甲基丙烯酸甲酯聚合物；聚合物修饰层厚度为30～35nm，浮栅层厚度为15～20nm。

3.根据权利要求1所述的基于量子点的有机场效应晶体管浮栅型存储器，其特征在于，所述量子点薄膜层为钙钛矿量子点材料，选自CsPbBr₂CQDs、CsPbCl₂CQDs或CsPbI₂CQDs中的任意一种，量子点薄膜层厚度为10～15nm。

4.根据权利要求1所述的基于量子点的有机场效应晶体管浮栅型存储器，其特征在于，所述栅绝缘层材质选自二氧化硅、氧化铝、氧化锆、聚苯乙烯或聚乙烯吡咯烷酮中的任意一种，栅绝缘层厚度为50～300nm。

5.根据权利要求1所述的基于量子点的有机场效应晶体管浮栅型存储器，其特征在于，所述有机半导体层材质选自并五苯、并四苯、钛青铜、氟化钛青铜、红荧烯、或并三苯中的任意一种，有机半导体层厚度为30～50nm。

6.根据权利要求1所述的基于量子点的有机场效应晶体管浮栅型存储器，其特征在于，所述源漏电极材质为金属或有机导体，源漏电极厚度为60～100nm。

7.根据权利要求1所述的基于量子点的有机场效应晶体管浮栅型存储器，其特征在于，所述衬底材质为高掺杂硅片、玻璃片或塑料PET；所述栅电极材质为高掺杂硅、铝、铜、银、金、钛或钽。

8.权利要求1所述的基于量子点的有机场效应晶体管浮栅型存储器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)分别配制量子点材料溶液、浮栅层材料溶液、聚合物修饰层材料溶液；

(2)选择衬底材料作为基片，并在衬底上形成栅电极和栅绝缘层，清洗干净基片后烘干；

(3)将烘干后的洁净基片使用紫外臭氧处理3～5min；

(4)将步骤(1)配制好的聚合物修饰层材料溶液旋涂在步骤(3)处理好的基片上，将旋涂好的样品在手套箱中于80℃下干燥30min；

(5)将步骤(1)配制好的量子点材料溶液旋涂在步骤(4)制得的基片上，将旋涂好的样品在手套箱中于80℃下干燥30min；

(6)将步骤(1)配制好的浮栅层材料溶液旋涂在步骤(5)制得的基片，将旋涂好的样品在手套箱中于80℃下干燥30min；

(7)在步骤(6)制备好的样品上面真空蒸镀有机半导体层，并形成源漏电极。

9.根据权利要求8所述的基于量子点的有机场效应晶体管浮栅型存储器的制备方法，其特征在于，步骤(7)中，所述真空蒸镀的蒸镀速率为真空度控制在6×10^-5pa～6×10^-4pa，采用晶振控制厚度在30～50nm；源漏电极同样采用真空蒸镀法制备，材料为铜或金，蒸镀速率为控制厚度在60～100nm。