[发明专利]一种晶圆检测方法在审
申请号: | 201811346997.0 | 申请日: | 2018-11-13 |
公开(公告)号: | CN109449097A | 公开(公告)日: | 2019-03-08 |
发明(设计)人: | 陈胜华;洪钰韬;戚文涛;王伟 | 申请(专利权)人: | 宁波润华全芯微电子设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 宁波高新区永创智诚专利代理事务所(普通合伙) 33264 | 代理人: | 胡小永 |
地址: | 315400 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种晶圆检测方法,涉及半导体技术领域,包括:方法包含如下步骤:首先传感器移动至扫描起始位置;接着打开传感器;然后传感器移动至扫描结束位置,过程中锁存晶元的位置信息;接着关闭传感器;然后控制器根据锁存的位置信息计算得到片盒内每个槽的晶圆的状态;最后控制器将计算结果发送给上位机;与现有技术相比,本发明通过控制器连续接收光纤放大器输出的开关信号,再根据波形的上下沿锁存住晶元的位置信息,并根据特定算法计算出片盒内晶圆的放置状态,由于实现了连续高速锁存的功能,使得系统无需每锁存一个值就读取一次,减少了通讯造成的延时,使得本发明能够一次性快速扫描完整个片盒,提高了扫描的效率,还提高了准确率。 | ||
搜索关键词: | 锁存 控制器 传感器移动 晶元 晶圆 片盒 种晶 扫描 半导体技术领域 读取 扫描起始位置 位置信息计算 关闭传感器 光纤放大器 放置状态 开关信号 快速扫描 连续接收 算法计算 上位机 一次性 传感器 检测 准确率 出片 延时 输出 通讯 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆检测方法,其特征在于,所述方法通过下述检测装置实施:所述检测装置包括传感器、放大器、控制器,所述放大器分别与传感器和控制器通讯连接;所述传感器用于发出光束,所述传感器还用于接收被晶圆反射回来的光束,并在接收到光束的光强度大于光强预设值时,所述放大器向所述控制器发出反馈信号;所述控制器根据反馈信号计算得到晶圆在片盒内的状态;所述方法包含如下步骤:首先,示教所述传感器的扫描起始位置和扫描结束位置,并设定光强预设值;然后设定斜片比例和重片比例;接着所述传感器移动至扫描起始位置;接着打开所述传感器;然后传感器移动至扫描结束位置;接着关闭所述传感器;然后所述控制器计算得到片盒内每个槽的晶圆的状态;最后所述控制器将计算结果发送给上位机。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波润华全芯微电子设备有限公司,未经宁波润华全芯微电子设备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811346997.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造