[发明专利]一种半导体芯片封装方法在审
| 申请号: | 201811341983.X | 申请日: | 2018-11-12 | 
| 公开(公告)号: | CN109473364A | 公开(公告)日: | 2019-03-15 | 
| 发明(设计)人: | 俞国庆 | 申请(专利权)人: | 通富微电子股份有限公司 | 
| 主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56 | 
| 代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 李庆波 | 
| 地址: | 226000 *** | 国省代码: | 江苏;32 | 
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 | 
| 摘要: | 本申请公开了一种半导体芯片封装方法,所述封装方法包括:提供芯片,所述芯片包括正面和背面,所述芯片的正面设置有感光区和位于感光区周围的焊盘,且所述焊盘背对所述芯片一侧形成有金属件,所述芯片的正面形成有透明保护层,且所述金属件的第一端凸出于所述透明保护层,以从所述透明保护层露出;利用具有导电性能的折板电性连接所述金属件的所述第一端和电路板,以使得所述芯片与所述电路板电连接。通过上述方式,本申请能够提高芯片的感光效果。 | ||
| 搜索关键词: | 芯片 透明保护层 金属件 半导体芯片封装 电路板 第一端 感光区 焊盘 导电性能 电性连接 感光效果 正面设置 电连接 背对 折板 封装 申请 背面 | ||
【主权项】:
                1.一种半导体芯片封装方法,其特征在于,所述封装方法包括:提供芯片,所述芯片包括正面和背面,所述芯片的正面设置有感光区和位于感光区周围的焊盘,且所述焊盘背对所述芯片一侧形成有金属件,所述芯片的正面形成有透明保护层,且所述金属件的第一端凸出于所述透明保护层,以从所述透明保护层露出;利用具有导电性能的折板电性连接所述金属件的所述第一端和电路板,以使得所述芯片与所述电路板电连接。
            
                    下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
                
                
            该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于通富微电子股份有限公司,未经通富微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811341983.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:系统级封装结构及生产方法
 - 下一篇:CVD沉膜偏移制程异常的测量与监控方法
 
- 同类专利
 
- 专利分类
 
                    H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
                
            H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





