[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，在衬底中形成了贯通衬底的绝缘环，绝缘环内的衬底作为电容结构的第一极板，在第一极板中形成了贯通的通孔，贯通的通孔的侧壁上形成有介质层且填充有导电层，进而通过引出结构将第一极板引出，以及通过第二引出结构电连接所有的导电层一并引出，形成了由所有导电层并联电容结构的第二极板，通孔中的介质层为两电容结构的极板间的绝缘层，通过引出结构即可以实现对该电容结构的连接及使用。该电容结构具有更大的容量，同时，可以通过引出结构并联通孔中的导电层实现任意所需容量的电容，具有更好的扩展性，从而，可以在更小的芯片面积上形成更大容量的电容结构，有效提高芯片的集成度。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：第一半导体衬底；贯通所述第一半导体衬底的绝缘环，所述绝缘环内的第一半导体衬底为第一极板；贯通所述第一极板的通孔，所述通孔的内壁上的介质层以及填充所述通孔的导电层；电连接所述第一极板的第一引出结构；电连接所有导电层的第二引出结构，电连接的所有导电层为第二极板。