[发明专利]空气桥制造方法在审
| 申请号： | 201811337306.0 | 申请日： | 2018-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN109473391A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 范谦;倪贤锋;何伟 | 申请（专利权）人： | 苏州汉骅半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提出一种空气桥制造方法，包括：提供半导体衬底和形成在半导体衬底上的至少两个待连接的电极；在所述衬底和电极表面形成第一光刻胶层，对所述第一光刻胶层进行部分曝光后对所述第一光刻胶层进行显影，以形成桥体和暴露出电极表面；在所述电极和第一光刻胶层上依次形成金属种层和第二光刻胶层，并对所述第二光刻胶层进行光刻，去除所述桥体和电极上的第二光刻胶层，形成窗口；在所述窗口内的金属种层上形成金属电镀层，并去除剩余的第二光刻胶层；去除非所述窗口内的金属种层，去除所述第一光刻胶层，形成空气桥。本申请所提出的空气桥制造方法，空气桥的形状可以被精确控制，具有高纵横比和稳定机械强度，可以提高单片微波集成电路制造工艺的良率和可重复性。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻胶层 空气桥 金属种层 电极 衬底 去除 电极表面 半导体 单片微波集成电路 制造 金属电镀层 高纵横比 可重复性 稳定机械 制造工艺 光刻 良率 显影 申请 暴露 曝光 | ||
【主权项】：
1.一种空气桥制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底和形成在半导体衬底上的至少两个待连接的电极；在所述衬底和电极表面形成第一光刻胶层，对所述第一光刻胶层进行部分曝光后对所述第一光刻胶层进行显影，以形成桥体和暴露出电极表面；在所述电极和第一光刻胶层上依次形成金属种层和第二光刻胶层，并对所述第二光刻胶层进行光刻，去除所述桥体和电极上的第二光刻胶层，形成窗口；在所述窗口内的金属种层上形成金属电镀层，并去除剩余的第二光刻胶层；去除非所述窗口内的金属种层，去除所述第一光刻胶层，形成空气桥。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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